以前由于技術(shù)所限，低壓補(bǔ)償并聯(lián)電容器的投切開(kāi)關(guān)基本上采用的都是交流接觸器，電容切換接觸器的優(yōu)點(diǎn)是成本低、控制簡(jiǎn)單、使用方便，缺點(diǎn)是投切時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的涌流和過(guò)電壓，其大小與感性負(fù)載的大?。ㄈ缱儔浩鞯亩搪啡萘?、阻抗、電容器的容量，交流接觸器的性能有關(guān)。切除時(shí)易產(chǎn)生電弧，觸點(diǎn)易于燒毀、壽命較短，不適用于頻繁投切的場(chǎng)合。

      電容器投切專用交流接觸器是為了減輕涌流對(duì)交流接觸器的影響而設(shè)計(jì)的，其與普通交流接觸器的不同之處是將普通接觸器觸點(diǎn)加以改善，配上抑制投切電流的電阻，采用并聯(lián)開(kāi)關(guān)分步投切的方法，先合上帶電阻的開(kāi)關(guān)再合上不帶電阻的開(kāi)關(guān)來(lái)減少投切過(guò)程中產(chǎn)生的涌流和過(guò)電壓。由于其只能降低投切過(guò)程中產(chǎn)生的涌流和過(guò)電壓，并不能從根本上解決問(wèn)題，在電容器容量相對(duì)較大時(shí)，仍然會(huì)產(chǎn)生很大的涌流，因而其應(yīng)用仍然受到一定的限制。

      由于上述兩種交流接觸器在應(yīng)用于低壓并聯(lián)電容器投切時(shí)存在著不可克服的涌流問(wèn)題和觸點(diǎn)的燒蝕問(wèn)題，對(duì)電容器和裝置的壽命有較大的影響，所以其在電容器投切領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越少，正逐步被功率電子開(kāi)關(guān)所替代。但由于其價(jià)格低廉，在某些技術(shù)要求較低、電網(wǎng)波形岐變嚴(yán)重不適于應(yīng)用電力電子開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合仍有使用，需安排人巡查、定時(shí)更換。

      目前，電容器投切專用交流接觸器正在被逐漸被取代，市面上的替代產(chǎn)品主要有兩種，一種是可控硅開(kāi)關(guān)，一種是復(fù)合開(kāi)關(guān)。復(fù)合開(kāi)關(guān)實(shí)際是接觸器和晶閘管開(kāi)關(guān)的中間產(chǎn)品，克服了交流接觸器的弊端，也有部分晶閘管開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)，但是其最大的問(wèn)題還是投切速度不夠快，仍然屬于靜態(tài)投切開(kāi)關(guān)，在很多需要采用動(dòng)態(tài)電容補(bǔ)償方案中還是要采用晶閘管開(kāi)關(guān)。希拓電氣的可控硅開(kāi)關(guān)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。